Der c5386-Transistor ist ein Halbleitergerät, das in der Elektronik häufig zur Verstärkung und Umschaltung von Signalen verwendet wird. Es gehört zur Art von NPN-Transistoren und hat viele nützliche technische Eigenschaften, die es zu einer der beliebtesten Komponenten in der Elektronikwelt machen.
Der c5386-Transistor hat eine hohe Leistung und eine hohe Verstärkung, die es ihm ermöglicht, schwache Signale effektiv zu verstärken. Es hat eine geringe Größe und einen geringen Stromverbrauch, was es ideal für den Einsatz in kompakten elektronischen Geräten wie Mobiltelefonen und tragbaren Audiogeräten macht.
Der c5386-Transistor hat auch eine hohe Zuverlässigkeit und Haltbarkeit, was ihn zu einer attraktiven Wahl für den Einsatz in Industrie- und Automobilanwendungen macht. Es ist in der Lage, hohen Temperaturen und Vibrationen standzuhalten, ohne die Leistung zu beeinträchtigen.
Die technischen Spezifikationen des c5386-Transistors umfassen die maximale Kollektor-Emitter-Spannung, den maximalen Kollektorstrom, den Stromverstärkungsfaktor, die Leistung und die Betriebstemperatur. Sie definieren seine Fähigkeiten und Nutzungsgrenzen und sind wichtig bei der Auswahl eines Transistors für eine bestimmte elektronische Schaltung.
Allgemeine Informationen zum Transistor c5386
Der Transistor c5386 hat folgende Hauptmerkmale:
- Typ: Bipolar PNP
- Maximale Kollektor-Emitter-Spannung: -230 V
- Maximale Kollektor-Grundspannung: -230 V
- Maximaler Kollektorstrom: -2.0A
- Maximale Leistung: 20W
- Gehäusetyp: TO-92
Der c5386-Transistor kann in Amateur- und professionellen Funkgeräten, Relais, Schaltnetzteilen, Automatisierungsgeräten und anderen elektronischen Geräten verwendet werden.
Grundlegende Parameter des Transistors c5386
Der c5386-Transistor ist ein NPN-Typ, dessen Hauptparameter seine Leistung und die Fähigkeit beschreiben, Signale zu verstärken.
Kollektorstrom (Ic): 2A
Emitter-Strom (Ie): 2A
Maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vce): 160W
Maximale Kollektor-Basis-Spannung (Vcb): 160W
Maximale Leistung (Pd): 30W
Temperaturbereich (Tj): -55°C bis 150°C
Verstärkung (hfe): 90 - 600
Der c5386-Transistor wird häufig in Verstärkern, Invertern und anderen elektronischen Geräten verwendet, um Mittelfrequenzsignale zu verstärken.
Elektrische Eigenschaften des Transistors c5386
Der c5386-Transistor ist eine Art bipolarer pnp-Transistoren und wurde für den Einsatz in vielen elektronischen Geräten, einschließlich Verstärkern, Schaltern und Netzteilen, entwickelt. Im Folgenden sind die grundlegenden elektrischen Eigenschaften dieses Transistors aufgeführt:
- Maximale Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo): 230 V
- Maximale Spannung Basis-Kollektor (Vcbo): 250 V
- Maximale Emitter-Kollektorspannung (Vebo): 5 V
- Maximaler Kollektorstrom (Ic): 2 A
- Maximaler Grundstrom (Ib): 0.2A
- Kollektorstromverstärkung (hfe): 60-320
- Maximale Leistung (Pc): 625 MW
- Maximale Schaltfrequenz (ft): 70 MHz
Diese Eigenschaften stellen die wichtigsten Parameter dar, die bei der Konstruktion und Montage elektronischer Schaltungen unter Verwendung des c5386-Transistors berücksichtigt werden müssen.
Mechanische Eigenschaften des Transistors c5386
Hersteller: Firma C, Ltd.
Gehäusetyp: TO-92
Pinbelegung: Direktes
Einbau: Oberflächlich
Abmessungen (L x B x H): 4.32mm x 4.32mm x 5.59mm
Masse: 0,19g
Temperaturbereich: -55°C bis +150°C
Schutzwert: Undefiniert
